Microcredencial en Semiconductor Physics and Optoelectronics Devices

Código26/MI/110
Edición2
Rama de conocimientoINGENIERÍA Y ARQUITECTURA
FechasDesde el 23/01/2026 hasta el 15/03/2026
LugarCentro de Investigación en Tecnologías de la Información y las Comunicaciones (CITIC-UGR)
Plazas20
Horario Lunes a viernes de 9h-14h y de 16h -20h. (Consultar calendario)
Horario (pdf)
Horas totales125
Créditos5

Matrícula

Solicitud de matrícula Fuera de convocatoria
Fecha de matrículaDesde el 02/12/2025 hasta el 15/01/2026
RequisitosGraduados/as o alumnos/as de último año de titulaciones de ciencias o ingeniería y arquitectura.
ObservacionesInformación y matriculación: Servicio de Títulos Propios de la Escuela Internacional de Posgrado. Contacto: 958240744 eppropios@ugr.es.

Presentación y objetivos

Esta microcredencial forma parte del máster ¿Innovative Microelectronic Circuit Design through CMOS Integration with Cutting-Edge Materials¿ que surge a raíz de la cátedra ¿+QCHIP¿ dentro del Plan ¿PERTE CHIP¿. El máster está diseñado para proporcionar conocimientos avanzados y habilidades prácticas en la evaluación, análisis, diseño y simulación de dispositivos a nanoescala, preparando a los futuros profesionales para liderar en la innovación tecnológica y científica. En concreto, este módulo presenta los fundamentos de física de semiconductores para entender el funcionamiento de los dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. Estos conocimientos son fundamentales en cualquier campo de la nanoelectrónica y, además, proporcionan una base sobre la que otros módulos del máster desarrollarán sus contenidos. Sus objetivos principales son: ¿ Comprender los principios teóricos fundamentales de los semiconductores y de los dispositivos electrónicos. ¿ Modelar el comportamiento de dispositivos nanoelectrónicos. ¿ Fomentar la capacidad de investigar y resolver problemas complejos en el ámbito de la nanoelectrónica. El contenido de la microcredencial incluye: ¿ Introducción a la física de semiconductores. ¿ Unión entre semiconductores y unión metal-semiconductor. ¿ Diodos y dispositivos optoelectrónicos basados en unión pn. ¿ Estructura metal-aislante-semiconductor y transistor MOSFET.

Contenido académico

  • Introducción a la física de los semiconductores
  • Unión entre semiconductores y unión metal-semiconductor
  • Diodos y dispositivos optoelectrónicos basados en uniones pn
  • Estructura metal-aislante-semiconductor y transistor MOSFET

Profesorado

Precios públicos

Precio del curso: 0

Dirección y coordinación

Organización

Proponen Cátedra PERTE +QCHIP

Más información

Electrónica y Tecnología de los Computadores Facultad de Ciencias
Dirección Avda. Fuente Nueva s/n
Teléfono 958241582
Email nanoelectronics@ugr.es
Web https://qchip.ugr.es/