Microcredencial en Semiconductor Physics and Optoelectronics Devices
| Código | 26/MI/110 |
| Edición | 2 |
| Rama de conocimiento | INGENIERÍA Y ARQUITECTURA |
| Fechas | Desde el 23/01/2026 hasta el 15/03/2026 |
| Lugar | Centro de Investigación en Tecnologías de la Información y las Comunicaciones (CITIC-UGR) |
| Plazas | 20 |
| Horario |
Lunes a viernes de 9h-14h y de 16h -20h. (Consultar calendario)
Horario (pdf)
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| Horas totales | 125 |
| Créditos | 5 |
Matrícula
| Solicitud de matrícula |
Fuera de convocatoria
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| Fecha de matrícula | Desde el 02/12/2025 hasta el 15/01/2026 |
| Requisitos | Graduados/as o alumnos/as de último año de titulaciones de ciencias o ingeniería y arquitectura. |
| Observaciones | Información y matriculación: Servicio de Títulos Propios de la Escuela Internacional de Posgrado. Contacto: 958240744 eppropios@ugr.es. |
Presentación y objetivos
Esta microcredencial forma parte del máster ¿Innovative Microelectronic Circuit Design through CMOS Integration with Cutting-Edge Materials¿ que surge a raíz de la cátedra ¿+QCHIP¿ dentro del Plan ¿PERTE CHIP¿. El máster está diseñado para proporcionar conocimientos avanzados y habilidades prácticas en la evaluación, análisis, diseño y simulación de dispositivos a nanoescala, preparando a los futuros profesionales para liderar en la innovación tecnológica y científica.
En concreto, este módulo presenta los fundamentos de física de semiconductores para entender el funcionamiento de los dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. Estos conocimientos son fundamentales en cualquier campo de la nanoelectrónica y, además, proporcionan una base sobre la que otros módulos del máster desarrollarán sus contenidos. Sus objetivos principales son:
¿ Comprender los principios teóricos fundamentales de los semiconductores y de los dispositivos electrónicos.
¿ Modelar el comportamiento de dispositivos nanoelectrónicos.
¿ Fomentar la capacidad de investigar y resolver problemas complejos en el ámbito de la nanoelectrónica.
El contenido de la microcredencial incluye:
¿ Introducción a la física de semiconductores.
¿ Unión entre semiconductores y unión metal-semiconductor.
¿ Diodos y dispositivos optoelectrónicos basados en unión pn.
¿ Estructura metal-aislante-semiconductor y transistor MOSFET.
Contenido académico
- Introducción a la física de los semiconductores
- Unión entre semiconductores y unión metal-semiconductor
- Diodos y dispositivos optoelectrónicos basados en uniones pn
- Estructura metal-aislante-semiconductor y transistor MOSFET
Profesorado
Precios públicos
Precio del curso: 0
Dirección y coordinación
Organización
| Proponen |
Cátedra PERTE +QCHIP
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Más información
Nota: La realización del curso queda supeditada a la matriculación del número de estudiantes
previsto en el proyecto formativo y/o autorizado por la Escuela Internacional de Posgrado.