Microcredencial en Semiconductor Physics and Optoelectronics Devices
Código | 25/MI/110 |
Edición | 1 |
Rama de conocimiento | INGENIERÍA Y ARQUITECTURA |
Fechas | Desde el 26/05/2025 hasta el 18/07/2025 |
Lugar | Centro de Investigación en Tecnologías de la Información y las Comunicaciones (CITIC-UGR) |
Plazas | 20 |
Horario |
Mañanas y tardes de lunes a viernes de 9h-13h y 16h-19h.
Horario (pdf)
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Horas totales | 125 |
Créditos | 5 |
Matrícula
Solicitud de matrícula |
Fuera de convocatoria
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Fecha de matrícula | Desde el 06/05/2025 hasta el 22/05/2025 |
Requisitos | Graduado/a dentro de la rama de conocimiento de ingeniería y arquitectura. |
Observaciones | Información y matriculación: Servicio de Títulos Propios de la Escuela Internacional de Posgrado. Contacto: 958240744 eppropios@ugr.es. |
Presentación y objetivos
Esta microcredencial forma parte del Máster Innovative Microelectronic Circuit Design through CMOS Integration with Cutting-Edge Materials" que surge a raíz de la cátedra +QCHIP dentro del Plan PERTE CHIP. El máster está diseñado para proporcionar conocimientos avanzados y habilidades prácticas en la evaluación, análisis, diseño y simulación de dispositivos a nanoescala, preparando a los futuros profesionales para liderar en la innovación tecnológica y científica. En concreto, este módulo presenta los fundamentos de física de semiconductores para entender el funcionamiento de los dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. Estos conocimientos son fundamentales en cualquier campo de la nanoelectrónica y, además, proporcionan una base sobre la que otros módulos del máster desarrollarán sus contenidos. Sus objetivos principales son: - Comprender los principios teóricos fundamentales de los semiconductores y de los dispositivos electrónicos. - Modelar el comportamiento de dispositivos nanoelectrónicos. - Fomentar la capacidad de investigar y resolver problemas complejos en el ámbito de la nanoelectrónica. El contenido de la microcredencial incluye: - Introducción a la física de semiconductores. - Unión entre semiconductores y unión metal-semiconductor. - Diodos y dispositivos optoelectrónicos basados en unión pn. - Estructura metal-aislante-semiconductor y transistor MOSFET.
Contenido académico
- Introducción a la física de los semiconductores.
- Unión entre semiconductores y unión metal-semiconductor.
- Diodos y dispositivos optoelectrónicos basados en uniones pn.
- Estructura metal-aislante-semiconductor y transistor MOSFET.
Profesorado
Precios públicos
Precio del curso: 0
Dirección y coordinación
Organización
Proponen |
Cátedra PERTE +QCHIP
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Más información
Nota: La realización del curso queda supeditada a la matriculación del número de estudiantes
previsto en el proyecto formativo y/o autorizado por la Escuela Internacional de Posgrado.