Microcredencial en Semiconductor Physics and Optoelectronics Devices

Código25/MI/110
Edición1
Rama de conocimientoINGENIERÍA Y ARQUITECTURA
FechasDesde el 26/05/2025 hasta el 18/07/2025
LugarCentro de Investigación en Tecnologías de la Información y las Comunicaciones (CITIC-UGR)
Plazas20
Horario Mañanas y tardes de lunes a viernes de 9h-13h y 16h-19h.
Horario (pdf)
Horas totales125
Créditos5

Matrícula

Solicitud de matrícula Fuera de convocatoria
Fecha de matrículaDesde el 06/05/2025 hasta el 22/05/2025
RequisitosGraduado/a dentro de la rama de conocimiento de ingeniería y arquitectura.
ObservacionesInformación y matriculación: Servicio de Títulos Propios de la Escuela Internacional de Posgrado. Contacto: 958240744 eppropios@ugr.es.

Presentación y objetivos

Esta microcredencial forma parte del Máster Innovative Microelectronic Circuit Design through CMOS Integration with Cutting-Edge Materials" que surge a raíz de la cátedra +QCHIP dentro del Plan PERTE CHIP. El máster está diseñado para proporcionar conocimientos avanzados y habilidades prácticas en la evaluación, análisis, diseño y simulación de dispositivos a nanoescala, preparando a los futuros profesionales para liderar en la innovación tecnológica y científica. En concreto, este módulo presenta los fundamentos de física de semiconductores para entender el funcionamiento de los dispositivos electrónicos y optoelectrónicos. Estos conocimientos son fundamentales en cualquier campo de la nanoelectrónica y, además, proporcionan una base sobre la que otros módulos del máster desarrollarán sus contenidos. Sus objetivos principales son: - Comprender los principios teóricos fundamentales de los semiconductores y de los dispositivos electrónicos. - Modelar el comportamiento de dispositivos nanoelectrónicos. - Fomentar la capacidad de investigar y resolver problemas complejos en el ámbito de la nanoelectrónica. El contenido de la microcredencial incluye: - Introducción a la física de semiconductores. - Unión entre semiconductores y unión metal-semiconductor. - Diodos y dispositivos optoelectrónicos basados en unión pn. - Estructura metal-aislante-semiconductor y transistor MOSFET.

Contenido académico

  • Introducción a la física de los semiconductores.
  • Unión entre semiconductores y unión metal-semiconductor.
  • Diodos y dispositivos optoelectrónicos basados en uniones pn.
  • Estructura metal-aislante-semiconductor y transistor MOSFET.

Profesorado

Precios públicos

Precio del curso: 0

Dirección y coordinación

Organización

Proponen Cátedra PERTE +QCHIP

Más información

Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores. Facultad de Ciencias.
Dirección Avda. Fuente Nueva s/n
Teléfono 958241582
Email nanoelectronics@ugr.es
Web https://qchip.ugr.es/